碳化硅晶體及其生長方法和裝置、半導(dǎo)體器件以及顯示裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911363245.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110904509A 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN110904509A 申請公布日 2021-06-08
分類號 C30B29/36;C30B23/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 鄧樹軍;張潔;汪良;付芬 申請（專利權(quán)）人 福建北電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超成律師事務(wù)所 代理人 唐寧
地址 362200 福建省泉州市晉江市陳埭鎮(zhèn)江浦社區(qū)企業(yè)運(yùn)營中心大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅晶體及其生長方法和裝置、半導(dǎo)體器件以及顯示裝置，涉及晶體生長技術(shù)領(lǐng)域，碳化硅晶體的生長方法包括：將第一碳化硅籽晶層的第一表面與第二碳化硅籽晶層的第三表面相接觸；分別在第一碳化硅籽晶層的第二表面和第二碳化硅籽晶層的第四表面生長碳化硅晶體；其中，第一表面與第二表面為第一碳化硅籽晶層相互對立的兩個(gè)表面，第三表面與第四表面為第二碳化硅籽晶層相互對立的兩個(gè)表面。該方法操作簡單、方便，易于實(shí)現(xiàn)，可以同時(shí)生長兩塊碳化硅晶體，產(chǎn)率較高。