晶體原料盛載裝置及晶體生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010235219.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN111349971B 公開(kāi)(公告)日 2021-04-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN111349971B 申請(qǐng)公布日 2021-04-23
分類號(hào) C30B35/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳澤斌;王旻峰;廖弘基;陳華榮 申請(qǐng)(專利權(quán))人 福建北電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超成律師事務(wù)所 代理人 陳治位
地址 362200福建省泉州市晉江市陳埭鎮(zhèn)江浦社區(qū)企業(yè)運(yùn)營(yíng)中心大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶體原料盛載裝置及晶體生長(zhǎng)裝置,涉及晶體生長(zhǎng)設(shè)備的技術(shù)領(lǐng)域,晶體原料盛載裝置包括依次水平相鄰緊靠設(shè)置的多個(gè)承載單元,多個(gè)承載單元中包括對(duì)應(yīng)于遠(yuǎn)離籽晶承載裝置上的籽晶的小平面的一端設(shè)置的第一承載單元;沿遠(yuǎn)離籽晶的小平面的一端向靠近籽晶的小平面的一端的方向,從第一承載單元至位于第一承載單元靠近籽晶的小平面的一側(cè)的承載單元,每個(gè)承載單元能夠承載的原料的高度依次降低;本發(fā)明能夠降低小平面位置的多型轉(zhuǎn)變幾率,提高晶體良率。??