一種坩堝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110452826.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113151897A 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN113151897A 申請公布日 2021-07-23
分類號 C30B23/00;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳澤斌;張潔;廖弘基;陳華榮 申請（專利權(quán)）人 福建北電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 馮潔
地址 362200 福建省泉州市晉江市陳埭鎮(zhèn)江浦社區(qū)企業(yè)運(yùn)營中心大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種坩堝結(jié)構(gòu)，涉及碳化硅單晶制備裝置領(lǐng)域；該坩堝結(jié)構(gòu)包括坩堝本體、第一導(dǎo)流組件和分流組件；坩堝本體的底部用于放置SiC粉料，坩堝本體的頂部具有用于放置SiC籽晶的放置區(qū)域；第一導(dǎo)流組件設(shè)置于坩堝本體內(nèi)，與坩堝本體的內(nèi)側(cè)壁貼合，且第一導(dǎo)流組件包括第一導(dǎo)流環(huán)，第一導(dǎo)流環(huán)兩端均具有正對放置區(qū)域的第一開口，且第一導(dǎo)流環(huán)在坩堝本體底部至頂部方向上尺寸逐漸減??；分流組件包括蓋體，蓋體蓋設(shè)于靠近坩堝本體頂部的第一開口外，且與第一導(dǎo)流環(huán)間隔設(shè)置并與第一導(dǎo)流環(huán)形成用于與第一開口連通的間隙，間隙用于供SiC粉料升華后的氣氛流通。該坩堝結(jié)構(gòu)能顯著減少碳包裹物產(chǎn)生且能有效地減少晶體生長過程中螺旋錯(cuò)位產(chǎn)生。