鍍層方格、坩堝裝置和晶體生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110420515.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113122915A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113122915A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類(lèi)號(hào) C30B23/00（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 陳澤斌;張潔;廖弘基;陳華榮 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 福建北電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專(zhuān)利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 劉曾
地址 362200福建省泉州市晉江市陳埭鎮(zhèn)江浦社區(qū)企業(yè)運(yùn)營(yíng)中心大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種鍍層方格、坩堝裝置和晶體生長(zhǎng)方法。鍍層方格包括支撐環(huán)和方格網(wǎng)；支撐環(huán)能夠用于支撐鍍層方格設(shè)置在坩堝中，且支撐環(huán)的外壁能夠用于抵持在坩堝的內(nèi)壁上；支撐環(huán)具有與坩堝內(nèi)部連通的連通孔，方格網(wǎng)設(shè)置在連通孔的周緣上；方格網(wǎng)具有多個(gè)沿坩堝高度方向延伸的導(dǎo)通孔。其能夠保障碳化硅晶體的生長(zhǎng)速度和產(chǎn)品品質(zhì)。