碳化硅晶體及其生長(zhǎng)方法和裝置、半導(dǎo)體器件以及顯示裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911363245.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110904509B 公開（公告）日 2021-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN110904509B 申請(qǐng)公布日 2021-06-08
分類號(hào) C30B29/36;C30B23/02 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 鄧樹軍;張潔;汪良;付芬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 福建北電新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超成律師事務(wù)所 代理人 唐寧
地址 362200 福建省泉州市晉江市陳埭鎮(zhèn)江浦社區(qū)企業(yè)運(yùn)營(yíng)中心大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅晶體及其生長(zhǎng)方法和裝置、半導(dǎo)體器件以及顯示裝置，涉及晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域，碳化硅晶體的生長(zhǎng)方法包括：將第一碳化硅籽晶層的第一表面與第二碳化硅籽晶層的第三表面相接觸；分別在第一碳化硅籽晶層的第二表面和第二碳化硅籽晶層的第四表面生長(zhǎng)碳化硅晶體；其中，第一表面與第二表面為第一碳化硅籽晶層相互對(duì)立的兩個(gè)表面，第三表面與第四表面為第二碳化硅籽晶層相互對(duì)立的兩個(gè)表面。該方法操作簡(jiǎn)單、方便，易于實(shí)現(xiàn)，可以同時(shí)生長(zhǎng)兩塊碳化硅晶體，產(chǎn)率較高。