一種基于有機介質(zhì)的高性能AlGaN/GaN HEMT開關(guān)器件結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410312711.2 申請日 -
公開（公告）號 CN104051521B 公開（公告）日 2017-03-22
申請公布號 CN104051521B 申請公布日 2017-03-22
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;代波;董良;杜鍇;鄭雪峰;張春福;馬曉華;郝躍 申請（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
代理機構(gòu) 北京世譽鑫誠專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 西安電子科技大學(xué);陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于有機介質(zhì)的高性能AlGaN/GaN?HEMT開關(guān)器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，從下往上依次包括襯底、GaN緩沖層、AlN隔離層、GaN溝道層、AlGaN本征層和AlGaN摻雜層，所述AlGaN摻雜層上間隔設(shè)有源極、鈍化層1、ITO柵電極、有機絕緣層PTFE、鈍化層2和漏極，所述鈍化層1與有機絕緣層PTFE之間設(shè)有ITO柵電極，所述有機絕緣層上設(shè)有ITO電極2，所述有機絕緣層與漏極之間設(shè)有鈍化層2。本發(fā)明成功的減少了所控制部分的2DEG的濃度，且避免了對材料的晶格損傷，還利用了ITO的場板效應(yīng)大大增加了擊穿電壓的范圍，使得器件的性能有了較大幅度的提升。