離子注入的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310279945.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103367416B 公開(kāi)（公告）日 2015-09-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN103367416B 申請(qǐng)公布日 2015-09-30
分類號(hào) H01L29/775(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬曉華;湯國(guó)平;郝躍;陳偉偉;趙勝雷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 西安電子科技大學(xué);陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種離子注入的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法，主要解決現(xiàn)有一維電子氣器件高溫高壓特性、頻率特性及功率特性較差的問(wèn)題。該器件自下而上包括：襯底、緩沖層、勢(shì)壘層、鈍化層和保護(hù)層；勢(shì)壘層上的兩端分別為源極和漏極，鈍化層位于源極和漏極之間的勢(shì)壘層上，鈍化層上開(kāi)有柵槽，柵槽中設(shè)有柵極；緩沖層采用GaN，勢(shì)壘層采用AlGaN；勢(shì)壘層上局部區(qū)域注入有負(fù)離子，注入有負(fù)離子的區(qū)域?yàn)槿舾上嗷ジ糸_(kāi)的條形；條形之間未注入離子的區(qū)域?qū)挾葹榧{米量級(jí)，在該區(qū)域下面的異質(zhì)結(jié)中形成一維電子氣。本發(fā)明與Si基和GaAs基器件相比具有很好的高溫高壓特性、頻率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一維電子氣器件。