基于Cu膜退火和氯氣反應(yīng)的側(cè)柵石墨烯晶體管制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310039823.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103151246B 公開(kāi)（公告）日 2015-09-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN103151246B 申請(qǐng)公布日 2015-09-02
分類號(hào) H01L21/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭輝;韋超;張玉明;張克基;雷天民;胡彥飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 西安電子科技大學(xué);陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于Cu膜退火和氯氣反應(yīng)的側(cè)柵石墨烯晶體管制備方法，主要解決現(xiàn)有技術(shù)制備的石墨烯連續(xù)性差及石墨烯器件載流子遷移率低等問(wèn)題。其實(shí)現(xiàn)步驟是：在清洗后Si樣片上生長(zhǎng)碳化層進(jìn)而形成3C-SiC薄膜；在3C-SiC薄膜上淀積SiO2，并在SiO2上光刻出側(cè)柵晶體管圖形窗口；將光刻后的3C-SiC與Cl2反應(yīng)，生成碳膜；將碳膜樣片置于氫氟酸溶液中去除SiO2；將去除SiO2后的碳膜樣片置于Cu膜上，再將該整體置于Ar氣中，高溫下退火，使碳膜重構(gòu)為石墨烯；在石墨烯樣片上淀積金屬Pd層和Au層，再刻蝕出側(cè)柵晶體管的金屬接觸。本發(fā)明制作的石墨烯連續(xù)性好，其工藝過(guò)程保證了晶體管的遷移率，提升了器件性能。