絕緣柵型直角復合源場板功率晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410660513.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104393030B 公開（公告）日 2017-04-19
申請公布號 CN104393030B 申請公布日 2017-04-19
分類號 H01L29/40(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛維;范舉勝;楊翠;張昊;趙雁鵬;馬曉華;郝躍 申請（專利權）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
代理機構 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 西安電子科技大學;陜西半導體先導技術中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種絕緣柵型直角復合源場板功率晶體管，主要解決現(xiàn)有場板技術在實現(xiàn)高擊穿電壓時工藝復雜的問題。其包括：襯底(1)、過渡層(2)、勢壘層(3)、源極(4)、漏極(5)、臺面(6)、絕緣介質(zhì)層(7)、絕緣柵極(8)、鈍化層(9)和保護層(13)，鈍化層(9)內(nèi)刻有凹槽(10)，凹槽(10)內(nèi)完全填充有高介電常數(shù)介質(zhì)(11)，鈍化層(9)與保護層(13)之間淀積有一字形源場板(12)，一字形源場板靠近絕緣柵極一側邊緣與凹槽靠近絕緣柵極一側邊緣對齊，并將一字形源場板與源極電氣連接；一字形源場板與高介電常數(shù)介質(zhì)構成直角復合源場板。本發(fā)明具有工藝簡單、擊穿電壓高、可靠性高和成品率高的優(yōu)點。