加源場板耗盡型AlGaN/GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410025519.5 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN103779407B 公開（公告）日 2016-05-18
申請公布號(hào) CN103779407B 申請公布日 2016-05-18
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 申請（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京方圓嘉禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 西安電子科技大學(xué);陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種加源場板耗盡型AlGaN/GaN?HEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，主要解決目前AlGaN/GaN高遷移率晶體管獲得高頻率的問題。所述結(jié)構(gòu)包括襯底、本征GaN層、AlN隔離層、本征AlGaN層、AlGaN摻雜層、柵電極、源電極、漏電極、源場板、絕緣層、鈍化層以及用于調(diào)節(jié)溝道電場的硅化物。AlGaN摻雜層位于本征AlGaN層之上，電極以及絕緣層位于AlGaN層之上，硅化物位于絕緣層之上。在襯底上外延生長耗盡型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料，并在該結(jié)構(gòu)上形成柵極、源極和漏極，然后淀積一層絕緣層，在絕緣層上(柵漏區(qū)域以及柵源區(qū)域間)，形成硅化物(NiSi,TiSi2等等)，將厚絕緣層上的硅化物與源極電連接形成源場板結(jié)構(gòu)。最后淀積鈍化層實(shí)現(xiàn)器件的鈍化。本發(fā)明具有器件頻率高，工藝重復(fù)性和可控性高的優(yōu)點(diǎn)，可用于低導(dǎo)通電阻、高工作頻率、高擊穿電壓的耗盡型AlGaN/GaN?HEMT器件。