基于超結槽柵的高壓器件及其制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201410029825.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN103779411B | 公開(公告)日 | 2017-01-25 |
申請公布號 | CN103779411B | 申請公布日 | 2017-01-25 |
分類號 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 | 申請(專利權)人 | 陜西西安電子科大資產經營有限公司 |
代理機構 | 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 西安電子科技大學;陜西半導體先導技術中心有限公司 |
地址 | 710071 陜西省西安市太白南路2號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于超結槽柵的高壓器件及其制作方法,依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層,所述AlGaN勢壘層上間隔設有源極、柵極和漏極,源極和柵極之間設有線性AlGaN層,柵極和漏極之間的部分區(qū)域設有線性AlGaN層,后者的線性AlGaN層上設有p?GaN層,p?GaN層上設有基極,所述柵極位于線性AlGaN層上方的部分還向源極方向形成有柵源場板;上述結構的頂層還間隔淀積有鈍化層,鈍化層的間隔內淀積有加厚電極。本發(fā)明兼顧了器件擊穿電壓的提高與導通電阻的減小,同時采用槽柵結構,增強了柵極對溝道2DEG的調控作用,提高了器件的頻率性能。 |
