基于超結槽柵的高壓器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410029825.6 申請日 -
公開(公告)號 CN103779411B 公開(公告)日 2017-01-25
申請公布號 CN103779411B 申請公布日 2017-01-25
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 申請(專利權)人 陜西西安電子科大資產經營有限公司
代理機構 北京世譽鑫誠專利代理事務所(普通合伙) 代理人 西安電子科技大學;陜西半導體先導技術中心有限公司
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于超結槽柵的高壓器件及其制作方法,依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢壘層,所述AlGaN勢壘層上間隔設有源極、柵極和漏極,源極和柵極之間設有線性AlGaN層,柵極和漏極之間的部分區(qū)域設有線性AlGaN層,后者的線性AlGaN層上設有p?GaN層,p?GaN層上設有基極,所述柵極位于線性AlGaN層上方的部分還向源極方向形成有柵源場板;上述結構的頂層還間隔淀積有鈍化層,鈍化層的間隔內淀積有加厚電極。本發(fā)明兼顧了器件擊穿電壓的提高與導通電阻的減小,同時采用槽柵結構,增強了柵極對溝道2DEG的調控作用,提高了器件的頻率性能。