一種基于槽柵結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型AlGaN/GaN MISHEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410312757.4 申請日 -
公開（公告）號 CN104064595B 公開（公告）日 2016-11-09
申請公布號 CN104064595B 申請公布日 2016-11-09
分類號 H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馮倩;董良;代波;杜鍇;陸小力;馬曉華;鄭雪峰;郝躍 申請（專利權(quán)）人 陜西西安電子科大資產(chǎn)經(jīng)營有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京世譽(yù)鑫誠專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭官厚
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于槽柵結(jié)構(gòu)的增強(qiáng)型AlGaN/GaN?MISHEMT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，從下往上依次包括襯底、GaN緩沖層、AlN隔離層、GaN溝道層、AlGaN本征層和AlGaN摻雜層，所述AlGaN摻雜層上依次設(shè)有源極、鈍化層1、ITO柵電極1、有機(jī)絕緣層PTFE、鈍化層2、LiF和漏極，所述源極與ITO柵電極1之間設(shè)有鈍化層1，所述PTFE上設(shè)有ITO柵電極2，所述PTFE與漏極間設(shè)有鈍化層2，所述漏極與鈍化層2間設(shè)有LiF薄膜層，所述漏極與LiF層上設(shè)有Al金屬層。本發(fā)明利用LiF和Al所產(chǎn)生的偶極子層增加了2DEG濃度，減小了器件導(dǎo)通電阻，并漏場板結(jié)構(gòu)提高了器件的擊穿電壓。