晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910023352.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111430142B 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN111430142B 申請公布日 2021-12-07
分類號 H01F41/02（2006.01）I;H01F1/057（2006.01）I;C21D1/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋振綸;楊麗景;鄭必長;李偉東;朱啟航 申請（專利權(quán)）人 包頭希迪瑞科技有限公司
代理機構(gòu) 杭州華進聯(lián)浙知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李麗華
地址 315201浙江省寧波市鎮(zhèn)海區(qū)莊市大道519號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶界擴散制備釹鐵硼磁體的方法，所述方法包括：提供釹鐵硼預制磁體；在釹鐵硼預制磁體表面形成重稀土薄膜；將形成有重稀土薄膜的釹鐵硼預制磁體進行熱處理和回火處理，獲得預制體，其中，預制體中包括正常殼層以及依次包覆于正常殼層的過渡層和反常殼層，正常殼層中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的邊緣處至主相晶粒的中心部位逐漸降低，反常殼層中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的邊緣處至主相晶粒的中心部位逐漸升高；去除反常殼層，得到釹鐵硼磁體。本發(fā)明的方法能夠使較厚的釹鐵硼磁體也可以采用晶界擴散的方法來提高矯頑力，提高了晶界擴散對釹鐵硼磁體厚度的適應性，解決了晶界擴散受磁體厚度的限制問題。