高壓大驅(qū)動(dòng)高電源抑制比LDO

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010801443.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111813175A 公開（公告）日 2020-10-23
申請公布號 CN111813175A 申請公布日 2020-10-23
分類號 G05F1/56(2006.01)I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 胡錦通 申請（專利權(quán)）人 英彼森半導(dǎo)體（珠海）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 英彼森半導(dǎo)體（珠海）有限公司
地址 519000廣東省珠海市橫琴新區(qū)環(huán)島東路1889號創(chuàng)意谷18棟316室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高壓大驅(qū)動(dòng)高電源抑制比LDO，屬于LDO技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中為提高電源抑制比對帶片外電容LDO電路進(jìn)行的改造，存在噪聲大及電路穩(wěn)定性差的問題。包括共源共柵阻性源退化電路和動(dòng)態(tài)補(bǔ)償電路，所述共源共柵阻性源退化電路采用NMOS差分對管輸入，獲得低壓差固定一級輸出電壓；動(dòng)態(tài)補(bǔ)償電路對所述一級輸出電壓采用動(dòng)態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償以及動(dòng)態(tài)偏置的方式，獲得最終輸出電壓。本發(fā)明可使輸出電壓噪聲大幅度降低，并保證工作點(diǎn)穩(wěn)定。??