一種芯片熱源分層的熱模型建模方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110459672.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113158475A 公開（公告）日 2021-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN113158475A 申請(qǐng)公布日 2021-07-23
分類號(hào) G06F30/20;G06F119/08 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 鄧二平;陳杰;劉鵬;黃永章 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華電（煙臺(tái)）功率半導(dǎo)體技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 煙臺(tái)智宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 李彬
地址 264006 山東省煙臺(tái)市開發(fā)區(qū)香港路16號(hào)華日工業(yè)園2號(hào)樓101號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)公開了一種芯片熱源分層的熱模型建模方法，涉及熱模型仿真領(lǐng)域。將芯片分為兩個(gè)面熱源和一個(gè)體熱源。第一面熱源的芯片集電極側(cè)PN結(jié)距離集電極表面非常近，該部分產(chǎn)生的熱量定義在集電極表面，第二面熱源的溝道區(qū)距離芯片發(fā)射極表面非常近，該部分產(chǎn)生的熱量定義在發(fā)射極表面，在熱模型中定義為面熱源；體熱源的基區(qū)厚度占整個(gè)芯片厚度的98％左右，該部分產(chǎn)生的熱量定義在整個(gè)芯片有源區(qū)中，在熱模型中定義為體熱源。通過對(duì)芯片集電極側(cè)PN結(jié)開啟電壓、芯片基區(qū)電阻和芯片發(fā)射極側(cè)溝道區(qū)的電阻的提取。不需要進(jìn)行復(fù)雜的半導(dǎo)體仿真，即可提高傳統(tǒng)單一熱源仿真模型的精度，實(shí)現(xiàn)了對(duì)仿真難度和精度的兼顧。