一種測量電力電子器件溫度分布的電學方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110403582.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113514747A 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN113514747A 申請公布日 2021-10-19
分類號 G01R31/26（2014.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 鄧二平;陳杰;劉鵬;趙雨山;黃永章 申請（專利權(quán)）人 華電（煙臺）功率半導體技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 煙臺智宇知識產(chǎn)權(quán)事務所（特殊普通合伙） 代理人 李增發(fā)
地址 264006山東省煙臺市開發(fā)區(qū)香港路16號華日工業(yè)園2號樓101號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電力電子器件結(jié)溫測量技術(shù)領域，具體涉及一種測量電力電子器件溫度分布的電學方法，包含如下步驟：1）通過實驗測量獲得器件在不同溫度下的I?V?T特性曲線；2）對I?V?T特性曲線實驗數(shù)據(jù)進行擬合，得到I、V、T三者的數(shù)值關(guān)系I（V,T）；3）用函數(shù)分布描述器件芯片溫度分布；4）用n個二極管并聯(lián)電路模型模擬器件在小電流下的通態(tài)電路模型，建立器件芯片在溫度梯度下I和V的數(shù)值模型；5）通過多電流測量法得到不同電流下器件的通態(tài)壓降；6）用聯(lián)立非線性方程組求解，得到溫度分布函數(shù)的各個參數(shù)；7）將各個參數(shù)代入即可獲得芯片溫度分布。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明不需要破壞器件封裝結(jié)構(gòu)。