一種超低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011621119.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112783253B | 公開(公告)日 | 2022-07-08 |
申請公布號 | CN112783253B | 申請公布日 | 2022-07-08 |
分類號 | G05F1/567(2006.01)I | 分類 | 控制;調(diào)節(jié); |
發(fā)明人 | 蘇杰;李孫華;徐祎喆;朱勇 | 申請(專利權(quán))人 | 北京百瑞互聯(lián)技術(shù)股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京國科程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 100085北京市海淀區(qū)上地信息路2號(北京實(shí)創(chuàng)高科技發(fā)展總公司2-1號,2-2號)2-1幢7層C棟7-1-1 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種超低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,屬于帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域。該電路包括:啟動(dòng)電路模塊以及內(nèi)核參考電壓電路模塊,啟動(dòng)電路模塊用于啟動(dòng)內(nèi)核參考電壓電路模塊;內(nèi)核參考電壓電路模塊用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)電壓以及負(fù)溫度系數(shù)電壓并相加得到參考電壓。其中內(nèi)核參考電壓電路模塊包括堆棧晶體管模塊,堆棧晶體管模塊包括第一堆棧晶體管組以及第二堆棧晶體管組。本發(fā)明的一種超低功耗帶隙基準(zhǔn)電壓源電路,通過用堆棧晶體管代替電阻器避免了電阻與晶體管不匹配對電壓源性能的影響,改善了面積和功耗,消除了后加工修整的需要,縮短上市需要的時(shí)間,從而降低產(chǎn)品成本。 |
