電容式MEMS麥克風(fēng)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810631510.7 申請日 -
公開（公告）號 CN108810776A 公開（公告）日 2018-11-13
申請公布號 CN108810776A 申請公布日 2018-11-13
分類號 H04R19/04 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 王高峰;吳麗翔;王俊力 申請（專利權(quán)）人 杭州法動科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州君度專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 黃前澤
地址 310000 浙江省杭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)白楊街道6號大街452號2幢D1509號房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了電容式MEMS麥克風(fēng)及其制造方法。由于振膜邊緣不容易振動，背電極邊緣部分與振膜邊緣形成的電容大小對靈敏度有很大的影響。本發(fā)明電容式MEMS麥克風(fēng)，包括襯底、振膜、背電極、接線組件、刻蝕停止環(huán)、振膜支撐環(huán)、第一絕緣環(huán)和第二絕緣環(huán)。所述的襯底、刻蝕停止環(huán)、振膜支撐環(huán)、第一絕緣環(huán)、第二絕緣環(huán)依次排列并固定在一起。振膜固定在振膜支撐環(huán)上。振膜的兩個側(cè)面上均開設(shè)有多個環(huán)形槽。所有環(huán)形槽均與振膜同軸設(shè)置。氮化硅鈍化保護(hù)層由保護(hù)環(huán)和保護(hù)盤組成。保護(hù)盤的靠近振膜的那側(cè)側(cè)面外凸設(shè)置，另一側(cè)側(cè)面內(nèi)凹設(shè)置。導(dǎo)電層由導(dǎo)電環(huán)和導(dǎo)電片組成。本發(fā)明通過將振膜制作成環(huán)狀結(jié)構(gòu)實現(xiàn)麥克風(fēng)的高靈敏度。