一種集成電路質(zhì)子直寫系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010698630.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111722477A 公開（公告）日 2020-09-29
申請公布號 CN111722477A 申請公布日 2020-09-29
分類號 G03F7/20(2006.01)I;H05K13/00(2006.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 丁紅杰;歐陽勁志;郭成明;馮雷;蘇建華 申請（專利權(quán)）人 鄭州中電新能源汽車有限公司
代理機構(gòu) 西安研創(chuàng)天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭州中電新能源汽車有限公司
地址 450047河南省鄭州市管城回族區(qū)博學(xué)路36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種集成電路質(zhì)子直寫系統(tǒng)，包括總控系統(tǒng)、激光控制系統(tǒng)、X、Y偏轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)，總控系統(tǒng)將設(shè)計的圖形和結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成控制數(shù)據(jù)，同時將數(shù)據(jù)傳遞給激光控制系統(tǒng)和X、Y偏轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)，分別控制質(zhì)子束的產(chǎn)生、篩選和質(zhì)子束X、Y向運動軌跡，將質(zhì)子束按設(shè)計路徑打到抗蝕材料上，從而完成刻寫任務(wù)；而且使用質(zhì)子束刻寫，由于質(zhì)子具有較高的質(zhì)量，MeV級能量的質(zhì)子束穿透力強，空間發(fā)散度小，刻出的刻痕更深，波動性小，能夠刻寫得更深、更細、更精確，可以在工件單位面積上刻寫更加多的信息，并且能夠刻寫多層信息，具有能夠加工超納米大規(guī)模集成電路芯片的特點。??