一種生長半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110330282.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113136616A 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN113136616A 申請公布日 2021-07-20
分類號 C30B11/06;C30B29/42;C23C16/26 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 雷仁貴;于會永;馮佳峰;袁韶陽;趙中陽;張軍軍;趙春鋒 申請（專利權(quán)）人 大慶溢泰半導體材料有限公司
代理機構(gòu) 黑龍江省百盾知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 孫淑榮
地址 163000 黑龍江省大慶市高新區(qū)新泰路3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生長半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法，涉及半導體材料技術領域，包括石英管和PBN坩堝組，PBN坩堝組裝于石英管內(nèi)，石英管的兩端安裝有密封卡頭，石英管的兩端分別設置有管路，分別稱為充氣管路和排氣管路，充氣管路上設置有通斷閥門三，充氣管路上游為兩個并聯(lián)的支氣管路，分別稱為充氧管路和充碳管路，充氧管路連接有氧氣源，充碳管路連接有碳氣源，并且均通過閥門控制氧氣源或碳氣源的通斷；排氣管路的下游為兩個并聯(lián)的支氣管路，分別稱為放氣管路和抽真空管路，放氣管路上設置有閥門，抽真空管路上連接有抽真空裝置。本申請可分別實施充氧烘烤工藝和C沉積工藝，兩個工藝在同一設備上依次進行，簡化了設備，節(jié)省了熱能損耗。