一種半導(dǎo)體化合物材料的單晶生長(zhǎng)工藝設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110213776.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113026089A 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113026089A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) C30B11/00;C30B29/42 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 雷仁貴;于會(huì)永;馮佳峰;袁韶陽(yáng);趙中陽(yáng);張軍軍;趙春峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 黑龍江省百盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孫淑榮
地址 163000 黑龍江省大慶市高新區(qū)火炬新街44號(hào)（園區(qū)）新興產(chǎn)業(yè)孵化器3#301
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體化合物材料的單晶生長(zhǎng)工藝設(shè)備，涉及單晶生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域，包括爐體、石英管，石英管、坩堝，爐體與石英管之間固定設(shè)置有單段式加熱器，所述的單段式加熱器外側(cè)固定安裝有溫梯筒，所述的溫梯筒帶有環(huán)形的過液腔，過液腔底部螺紋連接有封堵環(huán)，封堵環(huán)內(nèi)圈、外圈分別與溫梯筒螺紋連接，封堵環(huán)沿周向均勻加工有進(jìn)液孔，進(jìn)液孔內(nèi)插裝有進(jìn)液管，進(jìn)液管與封堵環(huán)固定連接，進(jìn)液管下方設(shè)置有儲(chǔ)液箱，過液腔上端設(shè)置有出液口。本發(fā)明由于溫梯范圍可變化，所以在加熱器長(zhǎng)度不變的情況下，可提供不同范圍的梯度場(chǎng)，從而適用于不同物質(zhì)單晶生長(zhǎng)；且溫梯的連續(xù)性良好。