一種高出光率紫外LED照明裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201820566133.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN208268801U | 公開(公告)日 | 2018-12-21 |
申請公布號 | CN208268801U | 申請公布日 | 2018-12-21 |
分類號 | F21K9/20;F21V9/00;F21V29/70;F21Y115/10 | 分類 | 照明; |
發(fā)明人 | 曾祥華;何苗;胡建紅;郭玉國 | 申請(專利權(quán))人 | 江蘇鴻利國澤光電科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京中知法苑知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 江蘇鴻利國澤光電科技有限公司 |
地址 | 212000 江蘇省鎮(zhèn)江市丹徒區(qū)高新園區(qū)丹桂路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及紫外LED照明技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種高出光率紫外LED照明裝置,包括:透明絕緣基板,設(shè)置于透明絕緣基板上的多個LED晶片,每個LED晶片整體呈碗狀結(jié)構(gòu),LED晶片的內(nèi)側(cè)面在水平方向上的直徑從LED晶片的頂端到LED晶片的底端依次減小,LED晶片的外側(cè)面在水平方向上的直徑從LED晶片的頂端到LED晶片的底端依次增大,LED晶片的上方覆蓋透光中空殼體,透光中空殼體的下端與LED晶片的外側(cè)面貼合并固定于透明絕緣基板上以形成封閉空間,散熱單元設(shè)置于透明絕緣基板上且位于LED晶片下方,散熱單元的上端面與LED晶片的外底面接觸,散熱單元的下端面與透明絕緣基板的底面齊平。上述照明裝置通過將LED晶片設(shè)計為碗狀結(jié)構(gòu),發(fā)光的同時對光線聚光,有效提高出光率。 |
