高溫氧化物晶體的退火裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN00111883.8 申請日 -
公開（公告）號 CN1264759A 公開（公告）日 2000-08-30
申請公布號 CN1264759A 申請公布日 2000-08-30
分類號 C30B33/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;周國清;鄧佩珍 申請（專利權(quán)）人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司
代理機構(gòu) 上海華東專利事務(wù)所 代理人 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所;上海中科嘉浦光電子材料有限公司上海市嘉定區(qū)葉城路1412號
地址 201800上海市800－211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高溫氧化物晶體的退火裝置,主要包括在能夠密封的鐘罩內(nèi),同一中心軸線的置有堝托、置于堝托上墊板上的待退火晶體,直徑Dh大于待退火晶體直徑Dj的恒溫筒和直徑Df大于恒溫筒直徑Dh的發(fā)熱體。發(fā)熱體的熱量以輻射的形式傳給待退火晶體。待退火晶體不直接接觸發(fā)熱體,退火的溫度是緩緩升高,消除了因溫度突然升高而引起待退火晶體炸裂的因素。雖然退火溫度可以高達2200℃,但均勻而容易控制。適宜對高溫氧化物晶體的退火。