高溫氧化物晶體的生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN99252128.9 申請日 -
公開（公告）號 CN2400459Y 公開（公告）日 2000-10-11
申請公布號 CN2400459Y 申請公布日 2000-10-11
分類號 C30B15/14 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;陳杏達;陳偉;鐘鶴裕 申請（專利權）人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司
代理機構 上海華東專利事務所 代理人 中國科學院上海光學精密機械研究所
地址 201800上海市800－211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高溫氧化物晶體的生長爐,主要適用提拉法生長像釩酸釔(YVO4)和摻釹釩酸釔(Nd:YVO4)的高溫氧化物晶體。它包括置于爐罩中心位置上盛放熔體的熔體坩堝,由熔體坩堝至爐罩之間,依次有間隙層,呈坩堝或圓筒狀的載熱體,隔熱層和感應加熱線圈。感應加熱線圈,通過隔熱層,感應載熱體,載熱體將熱量輻射給熔體坩堝,使熔體坩堝內的熔體溫度緩慢而均勻地升高,形成熱場溫度梯度小,從而生長出大尺寸優(yōu)質的晶體。