高溫氧化物晶體的生長(zhǎng)爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN99252128.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN2400459Y 公開（公告）日 2000-10-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN2400459Y 申請(qǐng)公布日 2000-10-11
分類號(hào) C30B15/14 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;陳杏達(dá);陳偉;鐘鶴裕 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海華東專利事務(wù)所 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所
地址 201800上海市800－211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高溫氧化物晶體的生長(zhǎng)爐,主要適用提拉法生長(zhǎng)像釩酸釔(YVO4)和摻釹釩酸釔(Nd:YVO4)的高溫氧化物晶體。它包括置于爐罩中心位置上盛放熔體的熔體坩堝,由熔體坩堝至爐罩之間,依次有間隙層,呈坩堝或圓筒狀的載熱體,隔熱層和感應(yīng)加熱線圈。感應(yīng)加熱線圈,通過隔熱層,感應(yīng)載熱體,載熱體將熱量輻射給熔體坩堝,使熔體坩堝內(nèi)的熔體溫度緩慢而均勻地升高,形成熱場(chǎng)溫度梯度小,從而生長(zhǎng)出大尺寸優(yōu)質(zhì)的晶體。