高溫氧化物晶體的退火裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN00111883.8 申請日 -
公開（公告）號 CN1093183C 公開（公告）日 2002-10-23
申請公布號 CN1093183C 申請公布日 2002-10-23
分類號 C30B33/02 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;周國清;鄧佩珍 申請（專利權(quán)）人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海智信專利代理有限公司 代理人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司;上海中科嘉浦光電子材料有限公司上海市嘉定區(qū)葉城路1412號
地址 201800上海市嘉定區(qū)葉城路1411號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高溫氧化物晶體的退火裝置，主要包括在能夠密封的鐘罩內(nèi)，同一中心軸線的置有堝托、置于堝托上墊板上的待退火晶體，直徑Dh大于待退火晶體直徑Dj的恒溫筒和直徑Df大于恒溫筒直徑Dh的發(fā)熱體。發(fā)熱體的熱量以輻射的形式傳給待退火晶體。待退火晶體不直接接觸發(fā)熱體，退火的溫度是緩緩升高，消除了因溫度突然升高而引起待退火晶體炸裂的因素。雖然退火溫度可以高達(dá)2200℃，但均勻而容易控制。適宜對高溫氧化物晶體的退火。