自調(diào)制激光基質(zhì)晶體Cr4+,Yb3+∶Y3Al5O12

基本信息

申請?zhí)?/td> CN97106292.7 申請日 -
公開(公告)號 CN1062320C 公開(公告)日 2001-02-21
申請公布號 CN1062320C 申請公布日 2001-02-21
分類號 C30B29/28 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;鄧佩珍;周國清 申請(專利權(quán))人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海華東專利事務(wù)所 代理人 李蘭英
地址 201800上海市800-211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的自調(diào)制激光晶體Cr4+,Yb3+:Y3Al5O12是以Y3Al5O12(YAG)作為基質(zhì),同時(shí)含有Cr4+和Yb3+兩種離子和補(bǔ)償離子Ca2+或Mg2+。因?yàn)樵诨|(zhì)YAG中,摻雜Yb3+離子的濃度可以高達(dá)1~25mol%,則相應(yīng)的Cr4+離子的調(diào)制范圍也寬,利用Cr4+離子的可飽和吸收特性,對Yb3+的1.030mm激光實(shí)現(xiàn)自調(diào)Q。很適宜做為InGaAs半導(dǎo)體或Ti:Al2O3鈦寶石激光泵浦的激光器,可不外加調(diào)制元件,實(shí)現(xiàn)自調(diào)Q。做成的激光器可以小型化、集成化和實(shí)用化。$#!