生長高溫氧化物晶體的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN99124262.9 申請日 -
公開（公告）號 CN1257943A 公開（公告）日 2000-06-28
申請公布號 CN1257943A 申請公布日 2000-06-28
分類號 C30B15/00;C30B15/14;C30B29/30 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐軍;陳杏達(dá);陳偉;鐘鶴裕 申請（專利權(quán)）人 上海中科嘉浦光電子材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海華東專利事務(wù)所 代理人 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所;上海中科嘉浦光電子材料有限公司
地址 201800上海市800－211郵政信箱
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種生長高溫氧化物晶體的裝置,主要適用提拉法生長像釩酸釔(YVO4)和摻釹釩酸釔(Nd:YVO4)的高溫氧化物晶體。它包括置于爐罩中心位置上盛放熔體的熔體坩堝,由熔體坩堝至爐罩之間,依次有間隙層,呈坩堝或圓筒狀的載熱體,隔熱層和感應(yīng)加熱線圈。感應(yīng)加熱線圈,通過隔熱層,感應(yīng)載熱體,載熱體將熱量輻射給熔體坩堝,使熔體坩堝內(nèi)的熔體溫度緩慢而均勻地升高,形成熱場溫度梯度小,從而生長出大尺寸優(yōu)質(zhì)的晶體。