一種微型晶圓攝像模組側(cè)壁鍍膜膜系及其加工工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010295655.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111485199B 公開（公告）日 2022-03-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN111485199B 申請(qǐng)公布日 2022-03-22
分類號(hào) C23C14/10（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C14/34（2006.01）I;B05D1/26（2006.01）I;B05D3/06（2006.01）I;H04N5/225（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 吳岳;葛文志;王剛;余開封;徐寶利 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 浙江新篇律師事務(wù)所 代理人 龔玉平
地址 314408 浙江省嘉興市海寧市長(zhǎng)安鎮(zhèn)（高新區(qū)）新潮路15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及微型晶圓攝像模組鍍膜技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明公開了一種微型晶圓攝像模組側(cè)壁鍍膜膜系，包含四層涂層，由內(nèi)至外依次為SiO2基礎(chǔ)層、Nb涂層、Si涂層、SiO2涂層，所述黑色鍍膜外側(cè)光譜為400?900nm，光密度不小于5，最大透過(guò)率不大于0.05％，最大反射率不大于50％，所述黑色鍍膜內(nèi)側(cè)光譜為400?900nm，最大反射率不大于25％。本發(fā)明還公開了鍍膜膜系的加工工藝，結(jié)合點(diǎn)膠、噴濺鍍膜等技術(shù)。該本發(fā)明有效解決極小模組側(cè)壁無(wú)法使用傳統(tǒng)塑膠成形Holder進(jìn)行遮光問(wèn)題，并達(dá)到在側(cè)壁完全不透光的光學(xué)條件下具有厚度薄，膜層牢固度強(qiáng)。