硅片背面減薄鍍膜工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111245894.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113964022A 公開（公告）日 2022-01-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN113964022A 申請(qǐng)公布日 2022-01-21
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/683（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王剛;葉煒昊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 杭州華知專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張德寶
地址 314400浙江省嘉興市海寧市長安鎮(zhèn)（高新區(qū)）新潮路15號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片背面減薄鍍膜工藝，其包括貼膜、減薄、超聲波清洗、撕膜、綁定、鍍膜。該硅片背面減薄鍍膜工藝去除酸洗步驟，將酸洗改換成純水超聲波清洗，去除了酸洗后廢液會(huì)對(duì)環(huán)境的污染，同時(shí)節(jié)約成本；鍍膜前將硅片與相配的綁定基板后鍍膜，消除減少酸洗步驟后增加的破片率，提升完成加工產(chǎn)品的合格率。