一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110266066.5 申請日 -
公開(公告)號 CN112885689A 公開(公告)日 2021-06-01
申請公布號 CN112885689A 申請公布日 2021-06-01
分類號 H01J37/317(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華衛(wèi)群;尤春;薛文卿;顧夢星;張月圓;劉維維;季書鳳 申請(專利權(quán))人 無錫中微掩模電子有限公司
代理機構(gòu) 連云港聯(lián)創(chuàng)專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 劉剛
地址 214000江蘇省無錫市新區(qū)菱湖大道202號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及掩模制版技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種新型FEI離子束修補機電子中和漏斗,包括電子中和漏斗本體,所述電子中和漏斗本體的一側(cè)安裝有支撐連桿,所述支撐連桿的頂部安裝有工藝氣體管道,所述工藝氣體管道的端部安裝有工藝氣體噴嘴,所述電子中和漏斗本體的中間位置處開設(shè)有中心孔,所述電子中和漏斗本體的內(nèi)部設(shè)置有內(nèi)側(cè)面和最低面。該一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗,通過設(shè)置電子中和漏斗本體、內(nèi)側(cè)面和最低面,使得本發(fā)明具有防干擾功能和高效吸附性能,進而在設(shè)備修補過程中,具有對離子、電子更好的吸附性能,同時可根據(jù)二次離子束和二次電子流成像原理,避免了發(fā)散離子和電子的干擾,使得修補精度更高,成像更清晰。??