應(yīng)變半導(dǎo)體CMOS晶體管的制造結(jié)構(gòu)和方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200480021901.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN1830092A 公開(kāi)（公告）日 2006-09-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN1830092A 申請(qǐng)公布日 2006-09-06
分類號(hào) H01L31/0328(2006.01);H01L31/0336(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳華杰;杜里賽蒂·奇達(dá)姆巴拉奧;奧萊格·G.·格魯斯晨科夫;安·L.·斯迪根;海寧·S.·楊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 張浩
地址 美國(guó)紐約
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路的p－型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PFET)(10)和n－型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NFET)(12)。經(jīng)由僅設(shè)置在PFET(10)而不是NFET(12)的源極和漏極區(qū)(111)中的晶格錯(cuò)配半導(dǎo)體層例如硅鍺，將第一應(yīng)變施加到PFET(10)而不是NFET(12)的溝道區(qū)(20)中。本發(fā)明提供了一種PFET(10)和NFET(12)的制造方法。在這些區(qū)域中蝕刻溝槽，從而變成PFET的源極和漏極區(qū)(111)，使晶格錯(cuò)配的硅鍺層(121)外延生長(zhǎng)在其中，以便將應(yīng)變施加到與其相鄰的PFET的溝道區(qū)。使一層硅(14)生長(zhǎng)在硅鍺層(121)之上，由這層硅形成硅化物(68)，從而提供了低電阻的源極和漏極區(qū)(111)。