應變半導體CMOS晶體管的制造結(jié)構(gòu)和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200480021901.3 申請日 -
公開（公告）號 CN100428497C 公開（公告）日 2008-10-22
申請公布號 CN100428497C 申請公布日 2008-10-22
分類號 H01L31/0328(2006.01);H01L31/0336(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳華杰;杜里賽蒂·奇達姆巴拉奧;奧萊格·G.·格魯斯晨科夫;安·L.·斯迪根;海寧·S.·楊 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造有限公司
代理機構(gòu) 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 代理人 屠長存
地址 美國紐約
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路的p-型場效應晶體管(PFET)(10)和n-型場效應晶體管(NFET)(12)。經(jīng)由僅設置在PFET(10)而不是NFET(12)的源極和漏極區(qū)(111)中的晶格錯配半導體層例如硅鍺，將第一應變施加到PFET(10)而不是NFET(12)的溝道區(qū)(20)中。本發(fā)明提供了一種PFET(10)和NFET(12)的制造方法。在這些區(qū)域中蝕刻溝槽，從而變成PFET的源極和漏極區(qū)(111)，使晶格錯配的硅鍺層(121)外延生長在其中，以便將應變施加到與其相鄰的PFET的溝道區(qū)。使一層硅(14)生長在硅鍺層(121)之上，由這層硅形成硅化物(68)，從而提供了低電阻的源極和漏極區(qū)(111)。