一種改善硅片酸腐蝕平坦度的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111387781.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114093760A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN114093760A 申請(qǐng)公布日 2022-02-25
分類號(hào) H01L21/306（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 卞梁;潘連勝;楊昱 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 錦州神工半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京易捷勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 薛曉萌;齊云
地址 121000遼寧省錦州市太和區(qū)中信路46號(hào)甲
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種改善硅片酸腐蝕平坦度的方法，其包括：S1、將硅片放入盛槽的滾筒中，盛槽內(nèi)裝有腐蝕液。按質(zhì)量分?jǐn)?shù)計(jì)，腐蝕液中含5?6％的氫氟酸、50?55％的硝酸、8?10％的醋酸、兩性離子型表面活性劑0.3％?1.5％。腐蝕過(guò)程中，滾筒浸沒(méi)在腐蝕液中且能夠在盛槽內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)；硅片以站立式放置在滾筒內(nèi)，利用滾筒的轉(zhuǎn)動(dòng)使硅片在腐蝕液中轉(zhuǎn)動(dòng)；滾筒同時(shí)還周期性地上下往復(fù)移動(dòng)，使硅片相對(duì)盛槽內(nèi)的腐蝕液進(jìn)行向上的拋動(dòng)動(dòng)作，使硅片的邊緣周期性的暴露在腐蝕液外；S2、使用QDR法對(duì)硅片清洗；S3、使用超純水溢流沖洗硅片；S4、使用甩干方法對(duì)硅片表面脫水、干燥。本發(fā)明通過(guò)改進(jìn)腐蝕液的組成并結(jié)合特定的清洗動(dòng)作，改善腐蝕后硅片表面的平坦度，克服塌邊情況。