一種硅片表面清洗方法及清洗液
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202111389708.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114101193A | 公開(公告)日 | 2022-03-01 |
申請公布號 | CN114101193A | 申請公布日 | 2022-03-01 |
分類號 | B08B3/08(2006.01)I;B08B3/10(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 分類 | 清潔; |
發(fā)明人 | 卞梁;潘連勝;秦朗 | 申請(專利權)人 | 錦州神工半導體股份有限公司 |
代理機構 | 北京易捷勝知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 薛曉萌;齊云 |
地址 | 121000遼寧省錦州市太和區(qū)中信路46號甲 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種硅片表面清洗方法,包括步驟:S1、將硅片放入盛裝有一號清洗液的一次清洗槽內,一號清洗液通過帶有濾芯的管泵組件在一號清洗槽內外循環(huán),硅片在一號清洗液內擺動;加熱并兆聲進行清洗;一號清洗液由氨水、雙氧水、有機膦酸、超純水按體積比8?12:8?12:0.8?1.2:80?100組成;S2、使用超純水溢流沖洗;S3、將硅片放入盛裝有二號清洗液的二次清洗槽內,二號清洗液通過帶有濾芯的管泵組件在二號清洗槽內外循環(huán),硅片在二號清洗液內擺動;加熱并兆聲進行清洗;二號清洗液由氨水、雙氧水、有機膦酸、超純水按體積比8?12:18?22:0.8?1.2:80?100組成;S4、使用QDR法清洗;S5、使用超純水溢流沖洗;S6、慢提拉法脫水烘干。本發(fā)明具有更優(yōu)的清洗效果,簡化傳統(tǒng)RCA清洗的步驟。 |
