一種改善硅片表面粗糙度的拋光工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111389663.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114055256A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114055256A 申請公布日 2022-02-18
分類號 B24B1/00（2006.01）I;B24B29/02（2006.01）I;B24B57/02（2006.01）I;C09G1/04（2006.01）I 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 卞梁;潘連勝;何翠翠 申請（專利權(quán)）人 錦州神工半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京易捷勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 薛曉萌;齊云
地址 121000遼寧省錦州市太和區(qū)中信路46號甲
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及本發(fā)明提供一種改善硅片表面粗糙度的拋光工藝，其包括：在精拋結(jié)束后，快速使用表面處理液對硅片表面進(jìn)行處理；所述表面處理液包括：1?3體積份的兩性離子表面活性劑，2?3體積份乙二醇，0.5?2份含有羥基的陰離子表面活性劑，100體積份的超純水。本發(fā)明的表面處理液，用于在硅片精拋結(jié)束后，快速處理硅片，其主要從三個方面降低硅片的Haze值：（1）迅速降低精拋結(jié)束后硅片表面的溫度從而緩和化學(xué)腐蝕；（2）隔離拋光液減緩并最終停止拋光液與硅片表面的化學(xué)腐蝕作用；（3）使拋光過程中產(chǎn)生的顆粒脫離硅片表面，從而去除表面顆粒，達(dá)到減少對硅片表面劃傷。