發(fā)光二極管及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201880003521.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109844968B 公開（公告）日 2021-10-19
申請公布號 CN109844968B 申請公布日 2021-10-19
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林素慧;王鋒;洪靈愿;許圣賢;陳思河;陳大鐘;彭康偉;張家宏 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管及其制作方法，在一些實施例中，所述發(fā)光二極管，包括：發(fā)光外延層，自上而下依次包括第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，其上表面設(shè)有第一電極區(qū)，其包含焊盤區(qū)和擴展區(qū)；絕緣層，形成于所述第一半導(dǎo)體層的擴展區(qū)之上；透明導(dǎo)電層，形成于所述第一半導(dǎo)體層的表面之上，并覆蓋所述絕緣層；保護層，形成于所述透明導(dǎo)電層的表面上，在所述擴展區(qū)形成第一開口，露出所述擴展區(qū)的透明導(dǎo)電層之部分表面；第一電極，形成于所述保護層上，包括焊盤部和擴展部，所述擴展部通過所述第一開口與所述擴展區(qū)的透明導(dǎo)電層形成電性連接。