一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110299582.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113113516A | 公開(公告)日 | 2021-07-13 |
申請公布號 | CN113113516A | 申請公布日 | 2021-07-13 |
分類號 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 鐘志白;李佳恩;張敏;卓昌正;徐宸科;康俊勇 | 申請(專利權(quán))人 | 廈門市三安光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 高園園 |
地址 | 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721-1725號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制備方法。半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:襯底,具有相對的正面和背面;堆疊外延層,包括依次形成在襯底正面上的第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體發(fā)光器件自堆疊外延層的一個側(cè)面出光;形成在與半導(dǎo)體發(fā)光器件的出光側(cè)相對的側(cè)面的反射層;第一電極結(jié)構(gòu),包括位于襯底背面的第一歐姆接觸層,以及位于第一歐姆接觸層上且遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)的連接金屬層;第一電極結(jié)構(gòu)還延伸至堆疊外延層的側(cè)面,連接金屬層還延伸覆蓋反射層。連接金屬層不會影響發(fā)光器件的發(fā)光效果,同時能夠及時地將外延層、抗反射層和反射層產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)出去,提高抗反射層和反射層抗光學(xué)災(zāi)變損傷的能力以及抗熱翻轉(zhuǎn)的能力。 |
