一種LED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023217520.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214176057U 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN214176057U 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡琳榕;張晶晶;林大銓;楊力勛;廖生地;林曉蕓 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種LED芯片，所述LED芯片包括基板、外延層、第一電極結(jié)構(gòu)、第二電極結(jié)構(gòu)、反射層、第一擴(kuò)散阻擋層、第二擴(kuò)散阻擋層以及第一電極焊盤，其特征在于在反射層上依次形成第一擴(kuò)散阻擋層和第二擴(kuò)散阻擋層，且第二擴(kuò)散阻擋層的反射率小于第一擴(kuò)散阻擋層的反射率，第一擴(kuò)散阻擋層的反射率小于反射層的反射率。一方面，在反射層上依次形成兩層擴(kuò)散阻擋層，有效地阻擋了反射層中的Ag向相鄰層中遷移；另一方面，第二擴(kuò)散阻擋層的反射率小于第一擴(kuò)散阻擋層的反射率，第一擴(kuò)散阻擋層的反射率小于反射層的反射率，進(jìn)一步提高了LED芯片的光提取率，提高了LED芯片的亮度。