一種發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110604191.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113345993A 公開（公告）日 2021-09-03
申請公布號 CN113345993A 申請公布日 2021-09-03
分類號 H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡琳榕;楊力勛 申請（專利權(quán)）人 廈門市三安光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京漢之知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 高園園
地址 361009福建省廈門市思明區(qū)呂嶺路1721－1725號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管及其制備方法，該發(fā)光二極管依次包括：基板、第一反射層、第一絕緣層、金屬阻擋層、第二反射層以及外延層，外延層中的有源層形成發(fā)光區(qū)，金屬阻擋層包括第一部分及第二部分，第一部分位于形成發(fā)光二極管的外延層的發(fā)光區(qū)的下方，第二部分位于形成發(fā)光二極管的電極的電極區(qū)的下方。在基板的第一表面的投影中，金屬阻擋層的第一部分的至少部分邊緣線位于發(fā)光區(qū)的邊緣線的內(nèi)側(cè)，金屬阻擋層的第二部分的邊緣線位于發(fā)光區(qū)的邊緣線的外側(cè)。本發(fā)明能夠解決金屬阻擋層對于光的吸收、遮擋問題，還能防止在后期形成電極時(shí)，刻蝕液超出金屬阻擋層的阻擋范圍向底層滲漏，有利于器件的可靠性。