訓(xùn)練人工智能估測存儲(chǔ)裝置的感測電壓的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201811173880.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110970080A | 公開(公告)日 | 2020-04-07 |
申請公布號(hào) | CN110970080A | 申請公布日 | 2020-04-07 |
分類號(hào) | G11C29/42;G11C29/12;G11C29/50 | 分類 | 信息存儲(chǔ); |
發(fā)明人 | 彭祥恩;吳昇翰 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳衡宇芯片科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 深圳衡宇芯片科技有限公司 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)府路263號(hào)大新時(shí)代大廈A座1106 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種訓(xùn)練人工智能估測存儲(chǔ)裝置的感測電壓的方法,包含以下步驟:(a)施加多個(gè)初始感測電壓至記憶單元;(b)定義多種存儲(chǔ)狀態(tài);(c)比對(duì)記憶單元的臨界電壓與初始感測電壓并據(jù)以分類記憶單元;(d)計(jì)算在強(qiáng)正確區(qū)的記憶單元數(shù)量占在強(qiáng)正確區(qū)與弱正確區(qū)的記憶單元數(shù)量的比例;(e)計(jì)算在強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)的記憶單元數(shù)量占在強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)的記憶單元數(shù)量的比例;(f)計(jì)算在弱正確區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)的記憶單元的數(shù)量以取得直方圖參數(shù);(g)輸入該些比例以及參數(shù)至人工智能類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng);以及(h)使用機(jī)器學(xué)習(xí)分析出多個(gè)實(shí)用感測電壓。 |
