用于決定非揮發(fā)性內(nèi)存中位值的方法和系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810238819.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110232947B 公開（公告）日 2021-05-18
申請公布號 CN110232947B 申請公布日 2021-05-18
分類號 G11C29/42;G11C29/34 分類 信息存儲;
發(fā)明人 彭祥恩;袁笙維;李厚鋆 申請（專利權(quán)）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 司佩杰
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園南區(qū)高新南一路賦安科技大廈B座1005
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種用于決定具有數(shù)個記憶單元的非揮發(fā)性內(nèi)存中位值的方法與系統(tǒng)，其中每一個記憶單元用于儲存一個位值。所述方法包含步驟：提供首次測試傳感電壓至所述些記憶單元并計算單元計數(shù)；提供另一個個測試傳感電壓至所述些記憶單元并計算本步驟與前步驟間單元計數(shù)的差異量；提供又一個個測試傳感電壓并計算本步驟與前步驟間單元計數(shù)的另一個個差異量；執(zhí)行步驟N次；計算單元計數(shù)差額并指定索引數(shù)給每一群記憶單元；選擇一個電壓為更新傳感電壓。