檢測固態(tài)存儲裝置存儲狀態(tài)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810846776.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110739023B 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN110739023B 申請公布日 2021-07-02
分類號 G11C29/12;G11C29/50 分類 信息存儲;
發(fā)明人 彭祥恩;吳昇翰 申請（專利權(quán)）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 孫皓晨
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)學(xué)府路263號大新時(shí)代大廈A座1106
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種檢測固態(tài)存儲裝置存儲狀態(tài)的方法。所述方法包含以下步驟：施加多個(gè)感測電壓至各個(gè)記憶單元；比對各個(gè)記憶單元的臨界電壓與多個(gè)感測電壓，并據(jù)以定義存儲狀態(tài)，多個(gè)存儲狀態(tài)依記憶單元落在強(qiáng)正確區(qū)、弱正確區(qū)、強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)或弱錯(cuò)誤區(qū)來分類；計(jì)算在每一存儲狀態(tài)的記憶單元數(shù)量；計(jì)算強(qiáng)正確區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量，占強(qiáng)正確區(qū)與弱正確區(qū)總和的多個(gè)記憶單元數(shù)量的強(qiáng)正確比例；計(jì)算強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量，占強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)總和的多個(gè)記憶單元數(shù)量的強(qiáng)錯(cuò)誤比例；以及基于強(qiáng)正確比例及強(qiáng)錯(cuò)誤比例，產(chǎn)生對數(shù)概度比。