用於決定非揮發(fā)性記憶體中位元值的方法與系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> TW107107412 申請日 -
公開（公告）號 TW201939508A 公開（公告）日 2019-10-01
申請公布號 TW201939508A 申請公布日 2019-10-01
分類號 G11C16/22;G11C29/50 分類 信息存儲;
發(fā)明人 彭祥恩;袁笙維;李厚鋆 申請（專利權(quán)）人 深圳衡宇芯片科技有限公司
代理機構(gòu) 李永鈞 代理人 深圳衡宇芯片科技有限公司
地址 臺北市中國廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道科技園南區(qū)高新南一路賦安科技大廈B座1005
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭露一種用於決定具有數(shù)個記憶單元的一非揮發(fā)性記憶體位元值的方法與系統(tǒng)，其中每一記憶單元用於儲存一位元值該方法包含步驟：a）提供一第一測試感測電壓至該些記憶單元并計算單元計數(shù)；b）提供另一測試感測電壓至該些記憶單元并計算本步驟與前步驟間單元計數(shù)的一差異量；c）提供再另一測試感測電壓并計算本步驟與前步驟間單元計數(shù)的另一差異量；d）執(zhí)行步驟c）N次；e）計算單元計數(shù)差額并指定索引數(shù)給每一群記憶單元；f）選擇一電壓為更新感測電壓