一種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410256441.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN104037288B | 公開（公告）日 | 2018-02-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN104037288B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-02-16 |
| 分類號(hào) | H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 湯喜友 |
| 地址 | 510000 廣東省廣州市廣州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科學(xué)城南翔一路62號(hào)廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種生長(zhǎng)在Si襯底上的LED外延片，包括Si襯底、AlN成核層、AlxGa1?xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻n?GaN層、InyGa1?yN/GaN量子阱層、AlzGa1?zN電子阻擋層和Mg摻p?GaN層，所述AlN成核層、AlxGa1?xN步進(jìn)緩沖層、AlN/GaN應(yīng)力補(bǔ)償層、Si摻n?GaN層、InyGa1?yN/GaN量子阱層、AlzGa1?zN電子阻擋層和Mg摻p?GaN層依次生長(zhǎng)在Si襯底上。本發(fā)明采用此結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)量子阱層、電子阻擋層、p型GaN層，確保在外延降溫過(guò)程中不產(chǎn)生裂紋，能夠在Si襯底上外延出高質(zhì)量的GaN薄膜，降低缺陷密度，提高LED的內(nèi)量子效率。 |
