一種P型電子阻擋層結(jié)構(gòu)及其LED外延結(jié)構(gòu)和制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110919081.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113690353A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113690353A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-23 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/00 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州容大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉新年 |
| 地址 | 510000 廣東省廣州市黃埔區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)B2棟1103室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種P型電子阻擋層結(jié)構(gòu)及其外延結(jié)構(gòu)和制備方法。所述P型電子阻擋層結(jié)構(gòu)從下至上包括多周期的P型InxnAlynGa1?xn?ynN層和P型AlaGabN層，1＜n≤6。所述LED外延結(jié)構(gòu)從下至上包括襯底、緩沖層、本征GaN層、N型GaN層、量子阱發(fā)光層、上述的P型電子阻擋層和P型GaN層。本發(fā)明提供的P型電子阻擋層結(jié)構(gòu)和LED外延結(jié)構(gòu)可以調(diào)節(jié)應(yīng)力，改善材料界面的晶格失配，減小發(fā)光層能帶發(fā)生的畸變，提高電子和空穴復(fù)合效率，提高了LED發(fā)光效率和抗靜電性能。 |
