一種GaN基綠光LED外延結構及其制備方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110915330.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113725327A 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN113725327A 申請公布日 2021-11-30
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權）人 廣州市眾拓光電科技有限公司
代理機構 廣州容大知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術領域，具體涉及一種GaN基綠光LED外延結構及其制備方法和應用。所述GaN基綠光LED外延結構從下至上包括襯底、緩沖層、非故意摻雜層、N型層、Nplus層、量子阱發(fā)光層、P型電子阻擋層、P型層；所述Nplus層從下至上包括第一GaN層、第一NGaN層、第二GaN層、第三GaN層、第二NGaN層和第四GaN層。本發(fā)明提供的GaN基綠光LED外延結構包括Nplus層，通過Nplus層的設置，能夠有效減弱量子阱發(fā)光區(qū)的極化效應，提高了電子和空穴的復合幾率，提升發(fā)光效率，同時提升抗靜電性能和可靠性。