一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110915334.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113725328A | 公開（公告）日 | 2021-11-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113725328A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-30 |
| 分類號(hào) | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李國強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州容大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 劉新年 |
| 地址 | 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號(hào)B2棟1103室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及LED半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。紫外LED外延結(jié)構(gòu)包括由下向上設(shè)置的襯底、緩沖層、非故意摻雜層、N型層、量子阱發(fā)光層、P型電子阻擋層、P型AlGaN層；所述量子阱發(fā)光層為多個(gè)周期的AlxGa1?xN/AlyGa1?xN超晶格結(jié)構(gòu)；AlxGa1?xN/AlyGa1?xN超晶格結(jié)構(gòu)的y值根據(jù)周期數(shù)的奇偶性變化而變化。本發(fā)明提供的紫外LED外延結(jié)構(gòu)中量子阱發(fā)光層采用新型量子壘，有效降低電子的遷移效率，顯著提升內(nèi)量子效率，極大提高了發(fā)光效率。 |
