一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110919094.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113725332A 公開(kāi)（公告）日 2021-11-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN113725332A 申請(qǐng)公布日 2021-11-30
分類號(hào) H01L33/14（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣州市眾拓光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州容大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開(kāi)源大道136號(hào)B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種紫外LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用。所述紫外LED外延結(jié)構(gòu)從下向上依次包括襯底、緩沖層、非故意摻雜層、N型摻雜層、量子阱發(fā)光層、P型電子阻擋層和P型AlGaN層；所述N型摻雜層從下向上依次包括第一NAlaGa1?aN層、第二NAlbGa1?aN層、第三NAlcGa1?aN層和第四NAldGa1?aN層。本發(fā)明提供一種新型的N型摻雜層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以有效的調(diào)節(jié)電子的遷移效率，提升了電子和空穴在MQW區(qū)域分布的均衡性，有效提高了電子和空穴的復(fù)合幾率，顯著提升了內(nèi)量子效率，極大的提高了發(fā)光效率。