一種硅基LED外延結(jié)構(gòu)及其生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110919086.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113725331A 公開（公告）日 2021-11-30
申請公布號 CN113725331A 申請公布日 2021-11-30
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/04（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權(quán)）人 廣州市眾拓光電科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州容大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 510000廣東省廣州市黃埔區(qū)開源大道136號B2棟1103室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種硅基LED外延結(jié)構(gòu)及其生長方法。所述硅基LED外延結(jié)構(gòu)，從下至上包括：硅基襯底、緩沖層、插入層、本征GaN層、N型GaN層、多周期的量子阱發(fā)光層、P型電子阻擋層和P型GaN層；所述插入層為AlGaN、InAlGaN、InGaN組合的多層結(jié)構(gòu)，組合的方式包括但不限于超晶格結(jié)構(gòu)或交替堆疊。本發(fā)明通過插入層的設(shè)置及對插入層中各層結(jié)構(gòu)的生長溫度、Al組分含量、In組分含量的調(diào)整控制，可提高插入層上方生長的GaN層晶體質(zhì)量，減少了位錯密度，同時還減少了漏電通道，增強了LED的抗靜電能力。