生長(zhǎng)在Cu襯底的AlN薄膜及其制備方法和應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410240984.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103996615B 公開(kāi)（公告）日 2017-11-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN103996615B 申請(qǐng)公布日 2017-11-07
分類(lèi)號(hào) H01L21/205(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0248(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 廣州市眾拓光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州市越秀區(qū)哲力專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 湯喜友
地址 510000 廣東省廣州市廣州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)科學(xué)城南翔一路62號(hào)廠(chǎng)房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種生長(zhǎng)在Cu襯底的AlN薄膜，其特征在于，包括Cu襯底、AlN緩沖層和AlN薄膜，所述AlN緩沖層生長(zhǎng)在Cu襯底上，所述AlN薄膜生長(zhǎng)在AlN緩沖層上；所述Cu襯底以(111)面偏(100)方向0.5?1°為外延面。本發(fā)明還公開(kāi)了一種生長(zhǎng)在Cu襯底的AlN薄膜及其制備方法。本發(fā)明采用脈沖激光沉積技術(shù)生長(zhǎng)工藝生長(zhǎng)AlN薄膜，由于脈沖激光照射能為薄膜前驅(qū)體提供了較高的動(dòng)能，可以很大程度地降低AlN薄膜的生長(zhǎng)溫度；另外由于低溫下，外延層與襯底之間的界面反應(yīng)受到抑制，為在金屬Cu襯底上外延生長(zhǎng)AlN薄膜提供了重要的保證，從而獲得晶體質(zhì)量好的生長(zhǎng)在Cu襯底的AlN薄膜。